G60N10T

厂家:
  Goford Semiconductor
封装:
 TO-220-3
数量:
 1175  
说明:
 N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
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G60N10T PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:TO-220-3
封装/外壳:TO-220
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:160W(Tc)
频率 - 开关:-
电流 - 输出:3970 pF @ 50 V
电压 - 输出(最大值):±20V
电压 - 输出(最小值/固定):146 nC @ 10 V
电压 - 输入(最大值):2.5V @ 250μA
电压 - 输入(最小值):25 毫欧 @ 20A,10V
输出数:4.5V,10V
输出类型:60A(Tc)
拓扑:100 V
输出配置:MOSFET(金属氧化物)
功能:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Goford Semiconductor

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