G01N20LE

厂家：: Goford Semiconductor
封装：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：: 8098
说明：: N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9

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G01N20LE PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/外壳：SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：1.5W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：580 pF @ 25 V
电压 - 输出（最大值）：±20V
电压 - 输出（最小值/固定）：12 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：2.5V @ 250μA
电压 - 输入（最小值）：850 毫欧 @ 1.7A，10V
输出数：4.5V，10V
输出类型：1.7A（Tc）
拓扑：200 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Goford Semiconductor

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