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中文参数如下:
工厂包装数量:10
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Tube
封装形式:SPM27-CB
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:62 W
栅极—射极漏泄电流:1 mA
在25 C的连续集电极电流:20 A
集电极—射极饱和电压:2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
配置:3-Phase
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
产品种类:IGBT 模块
制造商:Fairchild Semiconductor
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