FQU17N08LTU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 IPAK
数量:
 3339  
说明:
 MOSFET
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FQU17N08LTU-IPAK图片

FQU17N08LTU PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:20 ns
上升时间:290 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:75 ns
包装形式:Rail
封装形式:IPAK
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.1 Ohms
漏极连续电流:12.9 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:80 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQU17N08LTU的详细信息,包括FQU17N08LTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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