FQU12N20LTU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 IPAK
数量:
 3312  
说明:
 MOSFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FQU12N20LTU-IPAK图片

FQU12N20LTU PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:60 ns
上升时间:190 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:120 ns
包装形式:Rail
封装形式:IPAK
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.28 Ohms
漏极连续电流:9 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQU12N20LTU的详细信息,包括FQU12N20LTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC