FQT3P20TF_SB82100

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2500
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.7 Ohms
漏极连续电流：0.67 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQT3P20TF_SB82100的详细信息，包括FQT3P20TF_SB82100厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

FDPF035N06B-F154

TK5Q60W,S1VQ

NTMYS3D5N04CTWG

IPB65R660CFDATMA1

MCP75N10Y-BP

TK5R3E08QM,S1X

SIR5710DP-T1-RE3

SIR4604LDP-T1-GE3

SIHU6N80AE-GE3

IPU95R2K0P7AKMA1