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FQPF12N20L

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220F
数量：
 2970  
说明：
 MOSFET
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FQPF12N20L-TO-220F图片

FQPF12N20L PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：60 ns
上升时间：190 ns
功率耗散：45 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：120 ns
封装形式：TO-220F
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.28 Ohms
漏极连续电流：8.2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQPF12N20L的详细信息，包括FQPF12N20L厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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