FQP18N50V2_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220AB
数量：: 2835
说明：: MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

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FQP18N50V2_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：95 ns
上升时间：150 ns
功率耗散：208 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：16 S
下降时间：110 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.265 Ohms
漏极连续电流：18 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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