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FQNL2N50BBU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
数量：
 306  
说明：
 MOSFET 500V Single
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FQNL2N50BBU-TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）图片

FQNL2N50BBU PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：10 ns
工厂包装数量：500
上升时间：25 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：25 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-92L
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.2 Ohms
漏极连续电流：0.35 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQNL2N50BBU的详细信息，包括FQNL2N50BBU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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