点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
典型关闭延迟时间：17 ns
工厂包装数量：50
上升时间：100 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：50 ns
包装形式：Tube
封装形式：I2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.275 Ohms
漏极连续电流：7.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor
以上是FQI7N10LTU的详细信息，包括FQI7N10LTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
