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FQG4904TU

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 DIP-8
数量：
 2286  
说明：
 MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET
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FQG4904TU-DIP-8图片

FQG4904TU PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：28 ns at N Channel, 85 ns at P Channel
工厂包装数量：50
上升时间：16 ns at N Channel, 21 ns at P Channel
功率耗散：1.6 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16 ns at N Channel, 21 ns at P Channel
包装形式：Tube
封装形式：DIP-8
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 Ohms
漏极连续电流：+ 0.46 A, - 0.46 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：+/- 400 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQG4904TU的详细信息，包括FQG4904TU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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