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FQD6N40TM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252
数量：: 8154
说明：: MOSFET

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FQD6N40TM PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：65 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.15 Ohms
漏极连续电流：4.2 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：400 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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