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FQD60N03LTM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252
数量：: 1413
说明：: MOSFET 30V N-Ch MOSFET Logic Level

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FQD60N03LTM PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：27 ns, 52 ns
上升时间：49 ns, 26 ns
功率耗散：45 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：28 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.023 Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQD60N03LTM的详细信息，包括FQD60N03LTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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