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FQD3N60CTM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252
数量：: 1161
说明：: MOSFET 500V N-CHA NNEL MOSFET

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FQD3N60CTM PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：30 ns
功率耗散：50 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3.5 S
下降时间：35 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.8 Ohms
漏极连续电流：2.4 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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