FP7G150US60

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 
数量:
 8235  
说明:
 IGBT 模块 Transfer Molded Type IGBT Module PowerSPM
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FP7G150US60-图片

FP7G150US60 PDF参数资料

中文参数如下:

最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:20 V
最大工作温度:+ 125 C
功率耗散:450 W
栅极—射极漏泄电流:100 nA
在25 C的连续集电极电流:150 A
集电极—射极饱和电压:2.3 V
配置:Single
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
产品种类:IGBT 模块
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FP7G150US60的详细信息,包括FP7G150US60厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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