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中文参数如下:
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封装封装/外壳:ISOPLUSi5-Pak?
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:89W,132W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1370pF @ 25V,5080pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):197nC @ 10V,104nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA,4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 38A,10V,11 毫欧 @ 25A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A(Tc),62A(Tc)
漏源电压(Vdss):100V
FET 功能:-
配置:N 和 P 沟道,共漏
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:停产
包装:-
系列:管件
品牌:IXYS
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