FMB857B

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SuperSOT?-6
数量：: 8982
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Transistor

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FMB857B PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：700 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：220 @ 2mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA
晶体管类型：PNP
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

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