FJD5304DTM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: DPAK
数量：: 1809
说明：: 两极晶体管 - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR

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FJD5304DTM PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：30000 mW
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：10
最大直流电集电极电流：4 A
发射极 - 基极电压 VEBO：12 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：400 V
集电极—基极电压 VCBO：700 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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