FGAF30S65AQ

厂家：: onsemi
封装：: TO-3PF-3
数量：: 2682
说明：: IGBT 650V 30A TO-3PF

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FGAF30S65AQ PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-3P-3 整包
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：267 ns
测试条件：400V，15A，13 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：18ns/92ns
栅极电荷：58 nC
输入类型：标准
开关能量：515μJ（开），140μJ（关）
功率 - 最大值：83 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：90 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：onsemi

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