FGA90N30TU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P
数量：: 6381
说明：: IGBT 晶体管 TBD

一、本商品被浏览0次.

FGA90N30TU PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：30
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：90 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：219 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 250 nA
栅极/发射极最大电压：+/- 30 V
集电极—射极饱和电压：1.9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：300 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGA90N30TU的详细信息，包括FGA90N30TU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：