FGA30N120FTDTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3PN
数量：: 6273
说明：: IGBT 晶体管 1200V 30A FS

一、本商品被浏览0次.

FGA30N120FTDTU PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：30
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：60 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：339 W
在25 C的连续集电极电流：30 A
栅极/发射极最大电压：+/- 25 V
集电极—射极饱和电压：2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGA30N120FTDTU的详细信息，包括FGA30N120FTDTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：