FFB5551

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: S-Mini
数量：: 8414
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE

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FFB5551 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：200 mW
直流电流增益 hFE 最大值：250
集电极连续电流：200 mA
封装形式：S-Mini
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：80
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.2 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：160 V
集电极—基极电压 VCBO：180 V
晶体管极性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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