FF800R12KE3

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 IHM130
数量:
 3357  
说明:
 IGBT 模块 1200V 800A DUAL
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FF800R12KE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:8
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
封装形式:IHM130
最大工作温度:+ 125 C
功率耗散:3.9 KW
栅极—射极漏泄电流:400 nA
在25 C的连续集电极电流:1200 A
集电极—射极饱和电压:1.7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Dual
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:否
产品种类:IGBT 模块
制造商:Infineon

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