FF100R12RT4

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 
数量:
 2093  
说明:
 IGBT 模块 IGBT Module w/ IGBT & Diode
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FF100R12RT4 PDF参数资料

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中文参数如下:

最小工作温度:- 40 C
栅极/发射极最大电压:20 V
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:555 W
栅极—射极漏泄电流:100 nA
集电极—射极饱和电压:2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
产品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
制造商:Infineon

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