FDY1002PZ

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-563F
数量：: 1332
说明：: MOSFET -20V DUAL P-CHAN POWERTRENCH

一、本商品被浏览0次.

FDY1002PZ PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：23 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：2.9 ns
功率耗散：625 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：2.9 ns
包装形式：Reel
封装形式：SC-89-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：500 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：0.83 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDY1002PZ的详细信息，包括FDY1002PZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：