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FDS3572_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 7056  
说明：
 MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
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FDS3572_Q-SOIC-8 Narrow图片

FDS3572_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：31 ns
上升时间：14 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：13 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.016 Ohms
漏极连续电流：8.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS3572_Q的详细信息，包括FDS3572_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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