首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FDP2532

FDP2532

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220-3
数量：
 4230  
说明：
 MOSFET 150V NCh UltraFET Power Trench
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FDP2532-TO-220-3图片

FDP2532 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：FDP2532_NL
典型关闭延迟时间：39 ns
工厂包装数量：400
上升时间：30 ns
功率耗散：310 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：17 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：16 m Ohms
漏极连续电流：79 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP2532的详细信息，包括FDP2532厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB240N03S4LR9ATMA1
  • IPD040N08NF2SATMA1
  • FDMC86260ET150
  • SIHA6N65E-E3
  • CSD18531Q5AT
  • IPB043N10NF2SATMA1
  • MCB200N06Y-TP
  • STH150N10F7-2
  • SIR572DP-T1-RE3
  • NVMYS2D9N04CLTWG

    • 相近型号推荐

    • FDP2552图片

      FDP2552

      MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench

    • FDP2614图片

      FDP2614

      MOSFET 200V N-Channel PowerTrench

    • FDP2710图片

      FDP2710

      MOSFET 250V N-Channel PowerTrench

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC