FDP12N60NZ

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220-3
数量:
 2377  
说明:
 MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
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FDP12N60NZ PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
上升时间:50 ns
功率耗散:240 W
栅极电荷 Qg:26 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :13.5 S
下降时间:60 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.53 Ohms
漏极连续电流:12 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDP12N60NZ的详细信息,包括FDP12N60NZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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