FDN5632N_F085

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SSOT-3
数量：: 6390
说明：: MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

一、本商品被浏览0次.

FDN5632N_F085 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：5.2 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：1.7 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：1.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：98 m Ohms
漏极连续电流：1.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDN5632N_F085的详细信息，包括FDN5632N_F085厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：