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FDN302P_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SSOT-3
数量：: 8037
说明：: MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V

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FDN302P_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 ns
上升时间：11 ns
功率耗散：0.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降时间：11 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.055 Ohms
漏极连续电流：- 2.4 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDN302P_Q的详细信息，包括FDN302P_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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