FDM606P

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 8-SMD,扁平引线裸焊盘
数量:
 918  
说明:
 MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

FDM606P PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:FDM606P_NL
典型关闭延迟时间:134 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:46 ns
功率耗散:1.92 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:46 ns
包装形式:Reel
封装形式:MLP-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Hex Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.026 Ohms
漏极连续电流:- 6.8 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDM606P的详细信息,包括FDM606P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • FDM606P_Q图片

    FDM606P_Q

    MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V

  • FDM6296图片

    FDM6296

    MOSFET N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET

  • FDMA1025P图片

    FDMA1025P

    MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET

  • FDMA1028NZ图片

    FDMA1028NZ

    MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC