FDD86110

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 11787
说明：: MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD86110-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

FDD86110 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：19 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：5.4 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：25 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：38 S
下降时间：3.9 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10.2 mOhms
漏极连续电流：12.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

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