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FDD6606_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-252AA
数量：
 4779  
说明：
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
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FDD6606_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：38 ns
上升时间：12 ns
功率耗散：71 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：18 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252AA
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.006 Ohms
漏极连续电流：75 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD6606_Q的详细信息，包括FDD6606_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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