FDD5N60NZTM

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 1251  
说明:
 MOSFET N-Channel 600V 4A
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FDD5N60NZTM PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:2500
功率耗散:83 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:D-PAK
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.65 Ohms
漏极连续电流:4 A
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDD5N60NZTM的详细信息,包括FDD5N60NZTM厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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