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FDD3510H

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-252（DPAK）
数量：: 5913
说明：: MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench

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FDD3510H PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：16 ns, 25 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：2 ns, 3 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：2 ns, 5 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
漏极连续电流：4.3 A, - 2.8 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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