FDD20AN06A0_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-252
数量:
 4707  
说明:
 MOSFET N-Ch PowerTrench
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FDD20AN06A0_Q PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:23 ns
上升时间:98 ns
功率耗散:90 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:33 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.017 Ohms
漏极连续电流:45 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDD20AN06A0_Q的详细信息,包括FDD20AN06A0_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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