FDC796N_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SSOT-6
数量:
 4653  
说明:
 MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FDC796N_Q-SSOT-6图片

FDC796N_Q PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:26 ns
上升时间:3.8 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :48.4 S
下降时间:13 ns
包装形式:Reel
封装形式:SSOT-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quint Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.009 Ohms
漏极连续电流:12.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC796N_Q的详细信息,包括FDC796N_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • FDC855N图片

    FDC855N

    MOSFET 30V Single NCh Logic Level PowerTrench

  • FDC8601图片

    FDC8601

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • FDC8602图片

    FDC8602

    MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET

  • FDC86244图片

    FDC86244

    MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • FDC8878图片

    FDC8878

    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • FDC8884图片

    FDC8884

    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • FDC8886图片

    FDC8886

    MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC