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FDC636P_F095

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SuperSOT-6
数量：
 4545  
说明：
 MOSFET -20V -2.8A P-CH ENHANCEMENT MODE
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FDC636P_F095-SuperSOT-6图片

FDC636P_F095 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：8 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：26 ns
功率耗散：1600 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：26 ns
包装形式：Reel
封装形式：SuperSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
漏极连续电流：2.8 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC636P_F095的详细信息，包括FDC636P_F095厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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