FDC6322C_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SSOT-6
数量:
 7457  
说明:
 MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH
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FDC6322C_Q PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:4 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
上升时间:4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
功率耗散:0.9 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel
包装形式:Reel
封装形式:SSOT-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):5 Ohms / 1.5 Ohms
漏极连续电流:+ 0.22 A, - 0.46 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:+/- 25 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC6322C_Q的详细信息,包括FDC6322C_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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