FDB66N15TM

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: D2PAK
数量：: 8838
说明：: MOSFET 150V N-Ch MOSFET

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FDB66N15TM PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：65 ns
工厂包装数量：800
上升时间：480 ns
功率耗散：357 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：180 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.036 Ohms at 10 V
漏极连续电流：66 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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