首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > FCP9N60N

FCP9N60N

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-220-3
数量：
 207  
说明：
 MOSFET SupreMOS 9A
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
FCP9N60N-TO-220-3图片

FCP9N60N PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：36.9 ns
工厂包装数量：400
上升时间：8.7 ns
功率耗散：83.3 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：7.5 S
下降时间：10.2 ns
包装形式：Tube
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.33 Ohms at 10 V
漏极连续电流：5.7 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FCP9N60N的详细信息，包括FCP9N60N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • TK34A10N1,S4X
  • AOD7S65
  • TK33S10N1Z,LQ
  • IPD80R1K2P7ATMA1
  • TPH1R204PL,L1Q
  • NVTFS9D6P04M8LTAG
  • AOWF190A60C
  • AOW190A60C
  • NTMFS5C442NT3G
  • IPI120N06S402AKSA2

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC