FCD380N60E

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 D-PAK
数量:
 8647  
说明:
 MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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FCD380N60E PDF参数资料

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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:64 ns
上升时间:9 ns
功率耗散:106 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:34 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降时间:10 ns
包装形式:Reel
封装形式:D-PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):380 mOhms
漏极连续电流:10.2 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

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