F1T6GH

厂家:
  Taiwan Semiconductor Corporation
封装:
 TS-1
数量:
 8316  
说明:
 DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
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F1T6GH PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:TS-1
封装/外壳:T-18,轴向
安装类型:通孔
不同?Vr、F 时电容:15pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 μA @ 800 V
反向恢复时间 (trr):500 ns
速度:快速恢复 = 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A
电流 - 平均整流 (Io):1A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR)
品牌:Taiwan Semiconductor Corporation

以上是F1T6GH的详细信息,包括F1T6GH厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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