EPC2012

厂家:
  EPC
封装:
 模具
数量:
 8964  
说明:
 TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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EPC2012 PDF参数资料

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中文参数如下:
FET 型:GaNFET N 通道,氮化镓
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 3A, 5V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.8nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :145pF @ 100V
功率 - 最大:-
安装类型:表面贴装

以上是EPC2012的详细信息,包括EPC2012厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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