EMH4FHAT2R

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: EMT6
数量：: 5643
说明：: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

一、本商品被浏览0次.

EMH4FHAT2R PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：表面贴装型
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：250MHz
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
电阻器 - 发射极 (R2)：-
电阻器 - 基极 (R1)：10 千欧
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
产品状态：不适用于新设计
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

以上是EMH4FHAT2R的详细信息，包括EMH4FHAT2R厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：