EM6K7T2CR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: EMT6
数量：: 4869
说明：: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：SOT-563，SOT-666
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：150mW
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta）
漏源电压（Vdss）：20V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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