DXT5551-13

厂家：: Diodes Inc.
封装：: SOT-89
数量：: 1943
说明：: 两极晶体管 - BJT 1W 160V

一、本商品被浏览0次.

DXT5551-13 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：1000 mW
封装形式：SOT-89
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：80 at 1 mA at 5 V
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.6 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：160 V
集电极—基极电压 VCBO：180 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

以上是DXT5551-13的详细信息，包括DXT5551-13厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：