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DTC114EBT2L

厂家：
  Rohm Semiconductor
封装：
 VMN3
数量：
 1134  
说明：
 TRAN DIGITAL NPN 50V 100MA VMN3
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DTC114EBT2L PDF参数资料

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中文参数如下：
晶体管类型：NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10K
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 5mA, 5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
频率 - 转换：250MHz
功率 - 最大：150mW
安装类型：表面贴装

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