DMTH61M8LPSQ-13

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: PowerDI5060-8（K 类）
数量：: 1836
说明：: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），187.5W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：8320 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：115.5 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.6 毫欧 @ 30A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：225A（Tc）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）
品牌：Diodes Incorporated

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