DMPH1006UPSQ-13

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: PowerDI5060-8
数量：: 1647
说明：: MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.2W
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6334 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：124 nC @ 8 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 15A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc）
漏源电压（Vdss）：12 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Diodes Incorporated

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